键合设备简介
对准晶圆键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬底制造，晶圆级 3D 集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来，这些工艺也让 MEMS 器件， RF 滤波器和 BSI（背面照明） CIS（ CMOS 图像传感器） 的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底，例如 SOI（绝缘体上硅）。
主流键合工艺为： 黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。采用哪种黏合工艺取决于应用。 ET-G200系列可灵活配置选择以上的所有工艺。
深圳市欧瑞杰智能科技有限公司拥有超过 8 年的晶圆键合机制造经验，根据型号和加热器尺寸， OB-D500系列可以用于碎片和 50 mm 至 300 mm 的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、 研发，并且可以通过简单的方法进行大批量生产。
键合室
键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。 也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于 UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有 UV 源。 键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独立温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行 SOI / SDB（硅的直接键合） 预键合。
键合卡盘
键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，以执行随后的键合过程。可以使用适合每
个通用键合室的专用卡盘来处理各种尺寸的晶圆和键合应用。
键合
OB-D500 / OB -D500G / OB -D500S 是用于研发的键合机。
晶圆键合类型
■ 阳极键合
■ 黏合剂键合
■ 共熔键合
■ 瞬间液相键合
■ 热压缩键合
特征
■ 开口高达 150mm
■ 平面度低至 5um,上板下板平行度低至0.01mm
■ 压力高达 50 kN,压力精度高达±0.5%
■ 温度高达 1200°C
■温度控制精度:显示精度0.1度 加热板表面均匀性1%℃
■ 真空气压低至 1·10-3 mbar
■ 可选：阳极， UV 固化， 1200℃加热器
